株式会社アイ・シー・ランド

2025.02.03

ECE社(台湾：MOSリレー・SSR・DIPスイッチ・端子台等) 代理店活動を開始。

2024.12.26

MAGTOP社(中国：トランス(高周波用/低周波用/トロイダイル)・インダクタ・フィルタ等) 代理店活動を開始。

2024.11.27

MASPOWER社(中国：IGBT・HV MOSFET・FRD等) 代理店活動を開始。

2024.11.06

Alfa-MOS社(台湾：MOSFET) 代理店活動を開始。

2026.09.01

米半導体関税検討?調達コスト上昇リスク！！！

[1] 米半導体関税検討—調達コスト上昇リスク     米国では、輸入半導体に対する 新たな関税措置の検討が進められており、 米国向け製品の調達コスト上昇リスクが高まっています。     2026 年 9 月 2 日、米商務長官は、 米国内へ製造投資を行う企業には関税を軽減・免除する一方、 米国内に製造拠点を持たない企業には負担を求める方向性 を示しました。     現時点では、対象品目、税率、発効日などの最終的な条件は確定していません。 ここでの本質は、単に「米国が半導体関税を引き上げる」ということではなく、 半導体メーカーごとの米国内投資状況や製造拠点によって、今後の調達コストに差が生じる可能性がある 点です。       背景として (1) 米国内での半導体製造能力拡大 (2) 海外生産への依存を減らすサプライチェーン政策 (3) 米国内投資を行う企業を関税面で優遇する政策   そのため、同じ種類の半導体でも、メーカーや製造国、原産地によって、 米国へ輸入する際のコスト上昇圧力が異なる可能性 があります。 また、完成品だけでなく、基板やモジュールへ組み込まれた半導体についても、 HTS コードや原産地判定が重要になる可能性 があります。       結果として 　米国向け製品では今後、部品価格だけではなく、 関税を含めた総調達コストでサプライヤーを比較する必要性 が高まります。     対策として ① 米国向け製品に使用する半導体の HTS コードを整理する ② 主要半導体の原産国・製造拠点を確認する ③ サプライヤーへ米国内投資計画と関税の価格転嫁方針を確認する     重要なことは、関税が正式決定してから対応するのではなく、 今の段階で自社 BOM の対象候補部品を洗い出しておくことです。     [2] 対中輸出規制強化—調達納期への影響拡大 米商務省 BIS による対中半導体輸出管理は、 価格だけではなく 「購入できるかどうか」そのものを左右する調達リスク になっています。     NVIDIA の H200 や AMD の MI325X など一定の高性能半導体については、 中国向け輸出に対して 個別審査（ case-by-case ）によるライセンス確認 が必要となっています。     また、中国国内の半導体工場についても、既存設備の維持に必要な製造装置や技術の供給は 一定範囲で認める一方、 生産能力の増強や技術更新につながる輸出については厳しく制限する方向 となっています。     ここでの本質は、輸出規制の対象が「先端 GPU 」だけではなく、 半導体製造装置、 EDA 、プロセス技術、保守部品まで広がっている 点です。     背景として 　　 (1) AI 向け GPU ・アクセラレーターの対中輸出管理強化 (2) 中国半導体工場の能力増強を抑制する政策 (3) 最終需要者・再輸出先まで確認する輸出管理の厳格化   そのため、中国向け案件では、仕入先やメーカーだけを確認しても十分ではなく、 最終親会社、エンドユーザー、製造場所、再輸出先まで確認する必要性 が高まっています。     特に、中国工場で使用される製造装置や保守部品では、輸出許可の審査によって、 部品在庫があっても出荷できず、リードタイムが長期化する可能性 があります。     結果として 今後は「在庫あり」「納期回答あり」という情報だけではなく、 実際に輸出許可を取得できるかまで含めた調達難易度の判断 が必要になります。     対策として ① ECCN と輸出ライセンス要否を確認する ② 中国工場向け案件を「既存設備維持」と「能力増強・技術更新」に分類する ③ 許可申請を含めた実質的なリードタイムを事前確認する     重要なことは、「在庫がある＝購入できる」ではなく、 「輸出できるか」まで確認して納期を判断することです。     [3] AI 光通信需要拡大— SiGe 供給枠に注意     AI データセンター投資の拡大により、 GPU や HBM だけでなく、 高速通信・光通信向け半導体の需要も急速に増加 しています。     GlobalFoundries と Marvell は 2026 年 9 月 17 日、 AI インフラ需要の拡大を背景に、 高性能 SiGe （シリコンゲルマニウム）技術の供給能力を支える複数年の戦略契約を拡大 したと発表しました。     SiGe は、高速光トランシーバーやネットワーク機器など、 AI データセンター内の高速通信を支える重要な半導体技術 です。     ここでの本質は、 AI 需要による供給逼迫が、 GPU やメモリだけではなく、 通信 IC ・光通信部品など周辺半導体へ広がり始めている 点です。     背景として (1) AI サーバー間でやり取りされるデータ量の急増 (2) GPU 性能向上に伴う高速ネットワーク需要の拡大 (3) 光トランシーバーや SiGe など通信系半導体の需要増加   AI サーバーでは GPU 間、ラック間、データセンター間で大量のデータ通信が必要となるため、 演算能力が増えるほど、 高速通信部品に求められる数量と性能も増加する構造 になっています。     そのため、 AI 向けに SiGe の生産能力が長期契約で確保されると、通信機器や産業機器など、 AI 以外の用途向け製品で供給余力が低下する可能性 があります。     結果として 　今後は GPU ・ HBM だけでなく、光トランシーバー、ネットワーク IC 、 SiGe 関連部品についても、 納期長期化や供給枠確保による調達難易度上昇 を警戒する必要があります。     　　対策として ① 自社 BOM 内の SiGe ・光通信関連部品を抽出する ② 長期供給契約や割当数量の有無を確認する ③ 代替メーカー・代替デバイスの評価を早期に進める     重要なことは、 AI 需要を見る際に GPU やメモリだけを監視するのではなく、 その周辺にある通信・光部品まで調達リスクの対象を広げることです。  

2026.08.01

HBM・DRAM供給逼迫?メモリ調達長期化！！！

[1] HBM ・ DRAM 供給逼迫—メモリ調達長期化     AI データセンター投資の拡大により、 HBM だけでなく DRAM 全体の供給逼迫が一段と深刻化 しています。 市場分析では、 DRAM 価格は一部で 単四半期 80 ～ 90 ％上昇、リードタイム 40 週超 となり、 2026 ～ 2027 年の HBM ・ DRAM 生産能力も長期契約によって先行確保されつつあります。     ここでの本質は、単に「メモリ価格が上がっている」ということではなく、 HBM ・サーバー DRAM への生産能力集中によって、一般産業機器向け DRAM の供給枠そのものが減少している 点です。     背景として、 (1) AI サーバー向け HBM 需要の急増 (2) HBM が通常 DRAM より多くの製造能力を必要とする生産構造 (3) メモリメーカーが高付加価値の HBM ・サーバー向け製品を優先していること   そのため、 HBM を直接使用しない産業機器メーカーでも影響を避けることは難しく、 DDR4 ・ DDR5 など汎用 DRAM にも価格上昇と納期長期化が波及する構造 になっています。     結果として 今後はスポット価格の上昇以上に、 「必要数量を必要な時期に買えない」という調達難易度の上昇 が問題になります。 価格が高くても購入できる状況から、価格を提示しても数量を確保できない局面へ移行する可能性があります。     対策として ① 2027 年までの所要数量を早期に確定する ② LTA （長期供給契約）やフォーキャスト提示によって供給枠を確保する ③ DDR4 ・ DDR5 、容量、メーカーを含めた代替承認を事前に進める     重要なことは、メモリを「価格が下がるまで待つ部品」ではなく、「先に供給枠を押さえる部品」へ認識を変えることです。       [2] 米 FCC 規制強化—部品供給元確認が必須に     米国 FCC （連邦通信委員会）は 2026 年 7 月 22 日、 Covered List 掲載企業が製造した **logic-bearing hardware component （論理機能を持つハードウェア部品） ** を搭載した機器について、 新規機器認証を制限する規則 を採択しました。       対象には、 半導体、 IoT ・通信モジュール、光トランシーバー、ベースバンドプロセッサー、プリント基板など が含まれ、 通信機器メーカーだけでなく、米国市場へ電子機器を供給する企業全般に影響する可能性があります。       ここでの本質は、規制確認の単位が「完成品メーカー」から、 「 BOM 内部の部品メーカー」へ一段深くなったこと です。 これまで完成品メーカーや無線モジュールメーカーだけを確認していた企業でも、今後は IC 、通信モジュール、 光部品などについて、 実際の製造者・ブランド・供給元まで追跡する必要性 が高まります。       特に商社経由や EMS 経由で調達している部品では、 購入先企業と実際の製造メーカーが異なるケース もあります。 そのため、従来の「仕入先管理」だけではなく、 製造元まで含めたサプライチェーン管理 が重要になります。       結果として 中国系部品を採用しているから直ちに問題になるわけではありませんが、 Covered List 対象企業との関係を確認できない部品は、 米国向け製品における認証・輸出リスク につながります。       対策として ① 米国向け製品の BOM を抽出する ② 半導体・通信モジュール等のメーカーと製造元を再確認する ③ 新規採用品ではメーカー・製造元情報を承認条件に加える   　   重要なことは、価格・納期だけで部品を選定する時代から、「誰が製造した部品か」まで 調達部門が把握する時代に入ったことです。       [3] 米ポリシリコン規制—調達コスト上昇へ     米国は 2026 年 8 月 6 日通称拡張法第 232 条、 Section 232 に基づき、 ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン材料） およびその派生製品に対する新たな輸入規制 を発表しました。     12 月 4 日から最低輸入価格（ MIP ）が導入 され、ポリシリコンは 21 ドル /kg 、 インゴット・ウェハは 100 ドル /kg などの基準が設定されます。     ここでの本質は、 今回の措置を単なる「太陽光パネル向け材料の規制」と考えないこと です。 ポリシリコンは半導体・電子産業の上流に位置する重要材料であり、 材料段階の通商規制がウェハや加工品、 最終的には電子部品の調達コストへ波及する可能性 があります。       背景には、 世界的なポリシリコン生産能力の急拡大と、米国内生産能力の相対的な低下 があります。 米国では半導体や重要材料について、単純な価格競争だけではなく、 経済安全保障の観点から国内供給網を再構築する政策 が 強まっています。       一方で、実際の関税負担は品目・原産国・既存関税などによって異なるため 単純に「すべて 15 ％値上がりする」と判断することはできません。 HTS コード（関税分類記号）と原産国をセットで 確認すること が重要になります。       結果として 米国向け半導体・太陽光関連製品では、材料費だけでなく加工品・ウェハ・関連部材まで、 中長期的なコスト上昇圧力が波及する可能性 があります。       対策として ① 対象 HTS コードと原産国を確認する ② 12 月 4 日前後の輸入予定と在庫水準を確認する ③ サプライヤーへ関税・価格転嫁の有無を早期確認する     重要なことは、「関税が発生してから価格交渉する」のではなく、発効前に自社 BOM への影響範囲と コストを把握しておくことです。

2026.07.01

半導体・デジタル産業戦略改訂！！！

[1] 半導体・デジタル産業戦略改訂—政策支援が調達条件を変える     今回最も重要なのは、経済産業省が 2026 年 6 月に「半導体・デジタル産業戦略」を改訂し、 先端半導体だけでなく、製造装置、材料、周辺電子部品を含む中長期的な政策方針を更新した点 です。     ここでの本質は、「国内の半導体供給力が強化される」という話だけではなく、 政策支援が集中する分野と、設備投資が後回しになる分野との間で、 供給能力や調達条件に差が生まれる点 です。       背景として (1) 支援対象企業では設備投資や増産計画が前倒しされやすい (2) 製造装置、 CMP 材料 （化学機械研磨、ウエハー平坦化技術） 、レジストなどは対応メーカーが限られる (3) 先端品へ設備や人員が集中すると、 成熟品や汎用品への生産配分が低下する という構造があります。     結果として 先端分野では需要先行による リードタイム長期化やコスト上昇圧力 が生じる一方、 成熟品では 設備更新の遅れ、 MOQ 引き上げ、価格改定、製品統廃合 が進む可能性があります。       対策として サプライヤーの増産対象品と量産開始時期を確認する 投資対象外となりやすい成熟品を洗い出す 長期使用品の EOL や統廃合リスクを前倒しで確認する     重要なのことは、政策資料を業界全体の方向性として読むだけでなく、 自社調達品のどこに投資が集中し、どこが取り残される可能性があるかを具体的に把握すること です。       [2] 半導体投資 50 兆円超—周辺部材の取り合いが強まる     二つ目の重要テーマは、 AI ・半導体産業基盤強化フレームに基づき、 2030 年度までの 7 年間で 10 兆円以上の公的支援 を行い、 今後 10 年間で 50 兆円を超える官民投資 を促進する方針です。   ここでの本質は、「将来的に半導体の供給量が増える」という話ではなく、 供給能力が完成するまでの立ち上げ期間に、製造装置、材料、治工具、電源、センサー、コネクタ、ケーブルなどの 需要が先行して増える点 です。       背景として (1) 半導体工場には装置本体以外にも、 大量の電源、制御機器、配線材が必要になる (2) 50 兆円超の投資 により、複数企業が同じサプライヤーへ発注しやすくなる (3) 公的支援で投資計画が前倒しされると、 需要が特定時期に集中する という三段構造があります。     結果として 半導体デバイスそのものより先に、周辺部材で リードタイム長期化、見積有効期限短縮、 価格上昇、優先供給の偏り が起きる可能性があります。     特に電源、コネクタ、センサー、ケーブル、バルブ、測定器などは、 産業機器、医療機器、車載機器でも使われるため、 業界をまたいだ供給枠の競合が発生しやすい領域 です。     対策として ① 半導体設備投資と競合する部材を BOM から抽出する ② 年間使用量が多い品目は早期にフォーキャストを提示する ③ 長納期品はスポット購入から計画調達へ切り替える 　   重要なことは、 10 兆円、 50 兆円という投資規模を将来の供給増加だけでなく、 立ち上げ途中の需要集中リスクとして捉えること です。   　   [3] 実装技術ロードマップ—高密度化・熱対策で部材コスト上昇 三つ目の重要テーマは、 JEITA が公表した「 2026 年度版 実装技術ロードマップ」です。 電子機器の 高密度化、高速伝送化、高発熱化、高信頼性化 に対応するため、 基板、はんだ、封止材、接着材、放熱材料などに求められる将来仕様の方向性が示されています。       ここでの本質は、「新しい実装技術が開発される」という話ではなく、 現在使用している部材が、数年後も同じ仕様、価格、供給条件で調達できるとは限らない点 です。       背景として (1) AI 機器や高性能電子機器では、 実装密度と発熱量が同時に増加する (2) 高速信号では、 基板材料の誘電特性や伝送損失が性能を左右する (3) 高機能材料は対応メーカーが少なく、 評価・認定に時間がかかる   結果として 低誘電・低損失基板、高耐熱封止材、高熱伝導 TIM （サーマルインターフェイスマテリアル、熱伝導材料） 微細接合対応材料 などへの切り替えが進む可能性があります。   これらは一般品より価格が高く、材料費だけでなく、 評価費用、試作費用、設備変更費用を含む総調達コストの上昇 につながります。       特に注意すべきなのは、仕様変更決定後に代替材料を探し始めると、 評価や量産承認に 6 か月以上かかる場合がある点 です。   その間に既存材料の供給縮小や価格改定が起きれば、 高値での継続購入を受け入れざるを得ません。   対策として ① 次世代製品に必要な材料を早期に特定する ② 代替メーカーが 1 ～ 2 社の材料を優先管理する ③ 技術ロードマップと調達ロードマップを連動させる 今後は購入単価だけでなく、 認定期間、供給メーカー数、 代替可能性を含めた総調達コストで判断する必要があります。